Une piste intéressante pour l'après silicium
Grâce à des investissements colossaux, les fabricants de processeurs ont réussi à vaincre les barrières qui semblaient infranchissables pour fabriquer des transistors gravés à moins de 22nm. L'optimisme est même de mise et tout semble pouvoir continuer jusqu'à ce que l'on approche des 10nm. Ensuite, on retrouve la barrière quantique et l'impossibilité de créer des puces fonctionnelles, la barrière de l'atome étant impossible à franchir. Des chercheurs de North Carolina State University annoncent avoir réussi une percée qui permettrait de prendre la relève. Ils ont réussi à créer des films de sulfure de molybdène (MoS2) qui n'ont qu'un atome d'épaisseur et dans lesquels il serait possible de graver des transistors fonctionnels.
La fabrication de ces substrats n'est ni complexe, ni coûteuse et pourrait passer assez facilement au stade industriel en maîtrisant finement la croissance de ces couches, qui se fait dans un four dans lequel pression et température sont contrôlées de manière très précise.
On peut donc envisager dans le futur de graver des transistors dans ces couches ainsi créées et de pouvoir les empiler ensuite en 3D pour augmenter encore le nombre de transistors placés dans un processeur et donc gagner en puissance.
Ce n'est pas la seule piste envisagée pour prendre le relais du silicium mais l'enjeu est tel que d'ici la fin de la décennie il y aura de nombreuses annonces et très certainement un seul gagnant pour ce marché capital et colossal.