Des transistors à la verticale
Les transistors dans un microprocesseur, c'est un peu comme les humains : si on les place à l'horizontale, arrivé à un certain seuil, ça coince. Manque de place, ça chauffe, etc. Certes, on peut réduire la taille des humains et des transistors... mais il y a une limite.
La loi de Moore (loi empirique) précise que des systèmes – tels que les équipements de stockage ou le nombre de transistors par unité de surface par exemple – doublent de capacité en un temps donné. Inévitablement, nous finirons par atteindre une limite physique (dans l'état actuel de nos connaissances et de la recherche), à savoir pas en dessous de l'atome.
Avant d'arriver à cette barrière, les deux géants que sont IBM et Samsung viennent d’annoncer un partenariat pour le développement et la promotion d'une technologie (dite VTFET) permettant de "multiplier par deux les performances ou réduire jusqu'à 85 % la consommation d'énergie par rapport à l'alternative finFET".
Pour y arriver, les deux sociétés ont mis en commun leurs ressources afin de promouvoir cette technologie VTFET, en superposant des transistors perpendiculairement à la plaquette de silicium, et qui permet donc "d'assouplir les contraintes physiques relatives à la longueur de la grille du transistor, à l'épaisseur de l'espaceur et à la taille du contact, de sorte que ces caractéristiques peuvent être optimisées, que ce soit pour les performances ou la consommation d'énergie".
Plus les plus curieux (article en anglais), le communiqué IBM/Samsung est disponible à travers le lien : IBM SAMSUNG Partenariat VTFET
Bientôt, sous le sapin de Noël, un processeur à 100 milliards de transistors ?