Samsung commence à produire de la DDR3 gravée en 20nm
Samsung a annoncé avoir démarré la production en masse de puces de mémoire DDR3 gravées en 20nm.
La société a annoncé avoir réussi la prouesse d'utiliser les appareillages qui auparavant fabriquaient de la mémoire en 25nm pour cette nouvelle production.
Ici le but n'est pas de baisser la consommation des puces mémoire mais d'améliorer le rendement de production. A capacité égale les puces 20nm ont une surface réduite de 30% par rapport au 25nm. Ainsi, sur une galette de silicium on fabrique 30% de puces en plus pour un prix pratiquement identique, surtout qu'il n'y a pas eu de lourds investissements en matériel.
Cette nouvelle génération de puces va donc permettre à Samsung d'améliorer fortement sa rentabilité sur ce marché très concurrentiel et plus réellement rémunérateur depuis de nombreuses années.