Toshiba présente une mémoire très économe en énergie
Toshiba, qui s'intéresse comme tout le monde aux appareils connectés et à l'internet des objets, a développé une nouvelle mémoire SRAM dans laquelle les courants de fuite ont été largements réduits. Ces courants de fuite représentent en résumé l'énergie qui n'est pas réellement utilisée pour le fonctionnement des transistors mais qui est perdue à cause de leur gravure de plus en plus fine. Cette nouvelle SRAM gravée en 65 nm aurait des courants de fuite largement diminués, assez pour que Toshiba revendique une autonomie de 10 ans de rétention de données lors de la veille des appareils sur une seule charge.
Elle a toutefois un revers, être plus lente que la RAM classique. Toshiba la réserve donc soit à un usage sur les appareils très peu puissants, soit comme sauvegarde de la RAM classique, elle serait alors en doublon, ce qui permettrait un réveil instantané contrairement à la recopie de la RAM dans une puce de mémoire Flash.