Des puces de mémoire Flash capables de supporter des centaines de millions de cycles
L'une des raisons pour lesquelles il devenait urgent de trouver un successeur à la mémoire Flash NAND MLC est le fait que plus on la grave finement et moins elle supporte de cycles d'écriture. Ceci est lié à la couche d'isolant qui entoure chaque cellule mémoire. Progressivement, au fur et à mesure que l'on écrit dans la cellule, cette couche se dégrade et finit par ne plus isoler, ce qui signe la fin de vie de la cellule. Or, plus on grave finement ces cellules et plus cette couche isolante est fine et donc fragile.
Pour ralentir ce phénomène d'usure, de nombreux artifices sont utilisés comme moduler au plus juste la tension élevée nécessaire à l'effacement des cellules ou encore des optimisations visant à ce que les écritures soient les moins fréquentes possibles sur les puces.
Une société du nom de Macronix annonce ce qui pourrait devenir une révolution. Lors de l'étude de mémoire à changement de phase, elle a découvert que chauffer ces cellules mémoire permet de régénérer la couche isolante et donc donner une seconde jeunesse aux cellules.
Elle a développé un système assez complexe dans lequel chaque cellule mémoire se voit dotée d'une diode capable de la chauffer à 800°C en quelques millisecondes. Ainsi, la cellule peut se régénérer pratiquement indéfiniment avec ce procédé.
Cela a toutefois des contraintes. La capacité mémoire par puce est moins élevée à cause de la présence des diodes et chauffer les cellules nécessite beaucoup d'énergie. Pour ce dernier point, il sera possible de ne régénérer le disque que lorsque l'appareil est en charge sur le secteur.
Les premiers tersts sont très prometteurs. En laboratoire des cellules de mémoire en sont à 100 millions de cycles et fonctionnent encore.
Cette technique pourrait donner un second souffle à la mémoire Flash et pourrait permettre l'émergence en masse de certaines mémoires trop fragiles comme la X4 qui contient 4 bits par cellule mais ne supporte que quelques centaines de cycles. Cela permettrait de largement compenser la baisse de capacité liée à la présence des diodes.
Pour terminer, à terme il sera possible d'utiliser ces diodes à une température inférieure pour accélérer l'écriture sur ces puces de mémoire Flash, une cerise sur le gâteau en quelque sorte.
On devrait en apprendre prochainement plus sur cette mémoire, qui sera présentée lors du salon IEDM de San Francisco qui commence le 10 décembre.