Un front commun pour graver des puces à 10 nm
Aujourd'hui, chaque nanomètre à gagner en finesse de gravure de processeur relève de l'exploit, et progressivement on s'approche de la barre fatidique des 10 nm, qui ressemble à un mur tant il semble évident qu'il faudra tout réinventer ou presque pour la franchir. Le groupe de travail "IMS Nanofabrication AG" planche sur ce problème depuis quelques temps. Intel en fait partie et TSMC a annoncé avoir rejoint ce groupe. Les sociétés qui y participent vont mettre en commun leurs ressources pour franchir ce cap.
Les grandes lignes sont déjà jetées. On conservera le principe de masque utilisé actuellement pour fabriquer les processeurs mais il faudra abandonner la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet), ces derniers ayant une longueur d'onde trop grande. Le projet vise à les remplacer par des faisceaux d'électrons. Leur finesse extrême obligera à en utiliser une multitude pour fabriquer dans un délai proche de l'actuel des processeurs en masse.
L'autre défi qui nécessitera l'usage de nano technologie est la fabrication des masques. Ces ébauches de la gravure des processeurs devront avoir des millions de pistes de quelques nm d'épaisseur sans la moindre erreur.
Les industriels vont plancher là-dessus et espèrent avoir surmonté au moins en laboratoire la plupart des défis en 2015.