Samsung a réussi à produire des puces de PRAM de 1 Go
Depuis des années on nous parle de PRAM, une mémoire non volatile fonctionnant grâce au principe de changement de phase. On en attend énormément, sachant qu'elle pourrait remplacer à terme la Flash NAND avec de nombreux avantages, à commencer par des débits largement supérieurs, mais aussi une durabilité sans pareil.
Samsung, en pointe dans ce domaine, a annoncé avoir réussi à produire une puce de PRAM de 1 Go gravée en 20 nm. C'est 10 fois la capacité des puces qui avaient été gravées auparavant en 58 nm.
Difficile de dire le temps qu'il faudra pour que ces mémoires arrivent au stade industriel et équipent des clés USB ou des SSD, mais les perspectives ouvertes sont considérables et laissent entrevoir d'énormes possibilités dans le monde de l'informatique.
Il faudra cependant réussir à lever un ultime problème. Pour changer d'état, les cellules doivent être chauffées. Or, actuellement, il y a des problèmes de contrôle de la température lorsque l'on est obligé d'écrire sur de nombreuses cellules adjacentes avec le risque d'atteindre une température critique qui détruirait le matériau capable de changer de phase.