Une nouvelle mémoire candidate à la succession de la mémoire Flash
Il y a un mois, des chercheurs annonçaient une percée dans la mémoire à changement de phase et l'on y voyait de quoi succéder à la Flash qui arrive au bout de sa technologie. Il y a 10 jours, IBM présentait aussi sa mémoire à changement de phase censée également venir à bout d'ici 2016 à la Flash.
Des chercheurs de Samsung et de l'Université de Sejong en Corée du Sud ont présenté une nouvelle candidate. C'est une RRAM basée sur des oxydes de tantale. L'unité de mémoire est basée sur un sandwich de deux couches de TAO2-x entourant une mince couche de Ta2O5-x. Grâce à des électrodes de platine, il est possible de rendre à volonté le Ta2O5-x isolant ou conducteur en lui appliquant une tension. C'est la base de toute cellule mémoire.
L'avantage de ce produit est d'être d'ores et déjà gravé en 30 nm et de résister à 1012 cycles d'écriture soit 1 à 100 millions de fois ce qu'encaisse une cellule de mémoire Flash. Il y a cependant encore pas mal de travail avant le stade industriel puisque la démonstration a été effectuée sur une puce capable de stocker seulement 64 bits, soit rien à l'échelle de la mémoire Flash.
Comme toujours, la technologie qui gagnera ne sera pas forcément la plus performante, mais surtout celle qui sera le plus facilement industrialisable avec des coûts de mise en oeuvre aussi faibles que possible même si l'on parle toujours en milliards de dollars.