Samsung et Toshiba s'associent pour promouvoir de la mémoire Flash NAND DDR 2.0
Samsung et Toshiba, concurrents sur le marché de la mémoire Flash ont annoncé leur intention de se rapprocher afin de promouvoir un nouveau format de mémoire flash, la NAND DDR 2.0. Tout comme la mémoire vive DDR, cette nouvelle Flash permet de doubler le nombre de lectures ou d'écritures par cycle et donc le débit.
Selon l'annonce, de telles puces seraient capables d'échanger des données à une vitesse atteignant jusqu'à 50 Mo/s. Ces deux sociétés représentant ensemble une bonne partie de la production de mémoire Flash, ce standard devrait rapidement s'imposer et permettre d'accélérer notablement les débits de la plupart des appareils contenant de la Flash comme les iPod, iPad, iPhone...
Bien entendu les SSD pourront aussi être de la fête. Sachant que les contrôleurs SSD travaillent sur plusieurs canaux en parallèle, 8 ou plus, il sera donc facile de proposer de tels disques capables de dépasser les 400 Mo/s, et certainement bien plus rapidement.
Le SATA III qui commence à peine à poindre son nez devra rapidement laisser la place à un autre format.
La norme est en cours d'étude depuis le mois dernier par le JEDEC qui a le pouvoir d'en faire un standard.