Samsung lance de la mémoire Flash NAND à 3 bits par cellule
Samsung a annoncé avoir démarré la production en masse de mémoire Flash NAND MLC dotée de 3 bits par cellule et gravée en 30 nm. La possibilité d'avoir 3 bits au lieu de 2 sur la MLC actuellement utilisée permet d'augmenter la densité de la mémoire de 50%. La gravure en 30 nm permet quant à elle de faire des puces plus petites à capacité égale.
Cette mémoire sera dans un premier temps destinée à la fabrication de cartes micro SD de 8 Go avant de se retrouver plus tard dans des clés USB.
Pour les SSD, il faudra attendre encore. Cette mémoire a toutes les chances d'être non seulement plus lente, mais aussi moins endurante ce qui est un facteur rédhibitoire.
On pourrait en revanche la trouver dans de prochaines générations d'iPod/iPhone. Pour ces produits, quelques milliers de cycles d'écritures suffiraient à assurer une durée de vie de nombreuses années.