De la Flash gravée en 20nm au second semestre 2010
Depuis peu, les fabricants de mémoire flash ont démarré la bascule de leur production vers la gravure en 34nm. C'est cette nouvelle finesse qui a, par exemple, permis à Intel de baisser le prix de ses SSD 80 et 160 Go, et de bientôt pouvoir en proposer un de 320 Go.
Mais dans ce domaine tout doit aller très vite. Toshiba et Sandisk qui sont partenaires dans la production de mémoire NAND Flash ont annoncé qu'ils comptaient passer à la production de mémoire gravée en 20nm, dès la seconde moitié de 2010.
Cette course à la finesse est également celle du leadership sur le marché des SSD. De telles puces permettraient de proposer des disques SSD de petite capacité (autour des 80 Go) à des tarifs de l'ordre de 150 $ et également de produire dans le haut de la fourchette des disques de plus de 500 Go.
Ces deux acteurs ont, en attendant, un autre atout dans leur manche, de la mémoire MLC capable de stocker 3 bits par cellule, contre 2 pour les produits habituels, de quoi encore augmenter la capacité des puces mémoire de 50% et de prendre un avantage sur leurs concurrents.