MacBidouille

Freescale, l'ancienne branche semiconducteurs de Motorola, a annoncé en début de semaine passée le lancement d'un type de mémoire radicalement nouveau : la Magnetoresistive RAM (MRAM). Comme son nom l'indique, ce type de mémoire utilise le magnétisme pour conserver les informations au lieu de charges électriques pour les autres types de mémoires. La première puce disponible ne fait que 512 Ko (4 Mbit) mais ce lancement est prometteur bien qu'en retard de deux ans par rapport aux prévisions.
La MRAM combine les avantages de la mémoire RAM classique et de la mémoire Flash : elle conserve les données en absence de courant électrique tout en étant beaucoup plus rapide que la mémoire Flash : 35 ns de temps d'accès et 200 Mo/s en lecture comme en écriture contre 50 ns de temps d'accès, 108 Mo/s en lecture et 17 Mo/s en écriture pour les meilleures mémoires Flash. De plus, la MRAM ne se dégrade pas au fil des cycles de lecture/écriture contrairement aux mémoires Flash qui ne supportent qu'entre cent mille et un million de cycles.
En fait, la MRAM, appelée mémoire universelle par certains, finira par prendre la place de la mémoire Flash dans les clefs USB, les baladeurs MP3 mais elle finira probablement aussi par remplacer les mémoires dynamiques (DRAM) vu qu'elle est rapide et ne consomme pas d'énergie pour la conservation des données. Celà permettra à nos Macs un démarrage instantané car l'état de cette mémoire est conservé sans alimentation mais aussi une autonomie plus grande pour les portables car il n'y a pas besoin de rafraîchir constamment l'état de la mémoire contrairement aux DRAM.
Par contre, il est peu probable qu'elle en vienne à prendre la place des disques durs du fait de son coût similaire à la mémoire Flash.