IBM a réussi à faire de la PRAM TLC
Parmi les candidats à la succession de la Flash NAND la PRAM fait figure d'outsider alors que la ReRAM semble faire la course en tête.
Une annonce faite par IBM pourrait toutefois remettre en selle sa favorite.
La société a annoncé avoir réussi à créer des cellules de PRAM capables de stocker non pas un bit, mais trois, à l'image de la NAND TLC. Ainsi, la densité de cette mémoire sera multipliée par trois, de quoi en abaisser significativement le coût au giga-octet.
Pour rappel, la PRAM est une mémoire à changement de phase. Sa structure se présente sous deux formes, cristalline et amorphe. Pour passer de l'une à l'autre, il suffit d'appliquer ponctuellement un courant électrique et ce changement de phase est réversible, plusieurs millions de fois (pour la NAND TLC c'est au mieux quelques milliers de fois).
Les structures cristalline et amorphe ayant une résistance électrique différente, il est possible de lire l'état d'une cellule et de connaître si elle contient un 0 ou un 1.
Voilà le principe de base. L'avantage de la PRAM "TLC" est qu'elle peut garder presque indéfiniment sa charge spécifique sans risquer au bout d'un moment de confondre son contenu contrairement à la NAND. Ainsi, on aurait non seulement un stockage très dense et de longue durée, mais aussi très rapide aussi bien en lecture qu'en écriture, plus proche de la DRAM que de la Flash.
Pour le moment, IBM voudrait que cette PRAM soit utilisée dans les SSD grand public comme cache avant la NAND, pour accélérer ponctuellement les débits sans craindre les coupures de courant. Seuls les produits destinés aux professionnels, tout du moins dans un premier temps, auront droit à des supports de stockage 100% PRAM à des prix certes astronomiques, mais accompagnés de performances qu'il est encore difficile de concevoir.
Notez qu'IBM songe aussi à proposer des puces de PRAM pour les smartphones et tablettes. Elles contiendraient le système d'exploitation et permettraient de les démarrer en seulement quelques secondes.