Plus d'infos sur les V-NAND des Samsung 850 Pro
La sortie récente des SSD Samsung 850 Pro, qui sont les premiers à utiliser de la mémoire V-NAND, a soulevé de nombreuses interrogations sur les gains apportés par ce nouveau type de mémoire. Pour rappel, les mémoires V-NAND sont des mémoires où les cellules ne sont plus seulement étalées sur l'ensemble de la surface, mais aussi empilées verticalement, pour accroitre la densité et donc réduire le coût de production.
Le principal gain promis par Samsung est un gain d'endurance, d'un facteur dix. Le fait de disposer d'un grand nombre de couches (32 dans le cas du 850 Pro) permet en effet d'utiliser une gravure moins fine. Samsung est ainsi revenu à une gravure 40nm, alors que les mémoires NAND classiques sont aujourd'hui gravées entre 16 et 20nm.
AnandTech s'est penché sur la question et a testé l'endurance de ce 850 Pro. Selon ses mesures, l'indicateur d'usure (dans les informations SMART) confirme bien une endurance supérieure, mais loin de ce que Samsung promet. L'indicateur est en effet calibré pour 6000 cycles d'effacement, contre 3000 sur le 840 Pro. Il estime toutefois que cette valeur pourrait ne pas refléter le gain réel d'endurance et résulter d'un choix commercial de faire tomber l'indicateur à zéro au bout de 6000 cycles, pour pousser les clients professionnels vers la gamme 845 DC. Samsung pourrait également avoir réservé ses puces les plus endurantes à sa gamme DC, d'où un choix très conservateur dans la calibration de l'indicateur d'usure de la gamme 850 Pro. Ce nombre de cycle signifie que les 850 Pro peuvent encaisser entre 756 et 6047 Tio de données selon leur capacité (de 128 Go à 1 To), ce qui est largement supérieur à la garantie de Samsung (150 To).
Mais en pratique, 1 Go écrit par l’utilisateur se traduit presque toujours par plus d'1 Go écrit dans la mémoire flash du SSD, du fait de l'amplification d'écriture provoquée par les traitements effectués pour le wear-leveling et la consolidation des données. Cette amplification variant d'un SSD à l'autre, AnandTech a mesuré celle du 850 Pro dans le cas d'utilisation le plus défavorable (écriture aléatoire de petits blocs de données). Avec une amplification de 11x, le 850 Pro est dans la moyenne des SSD d'aujourd'hui. Dans le pire des cas, les plus petites capacités ne supporteront donc pas les 150 To garantis par Samsung ("seulement" 69 Tio pour le 128 Go et 137 Tio pour le 256 Go), mais il faudra tout de même une utilisation particulièrement intensive et inhabituelle pour parvenir à ce résultat.
Enfin, AnandTech a utilisé des photos de dies et de wafers de V-NAND pour estimer la densité de cette mémoire. Etonnamment, la V-NAND de seconde génération est légèrement moins dense que la V-NAND de première génération (0.9 Gbit/mm² contre 0.96), mais avec des puces de capacité moindre qui sont au final sensiblement plus petites (95mm² contre 133m²), ce qui devrait réduire les chutes et les rendre moins coûteuses que la première génération. Les NAND classiques sont pour leur part assez loin derrière, avec seulement 0.74 Gbit/mm² pour la plus dense, la 16nm de Micron. Le gain est donc de l'ordre de l'ordre de 20%, ce qui n'est pas négligeable.
Alors que ces SSD sont pour l'instant plus chers au Go que ceux utilisant la flash Micron 16nm (les Crucial MX100), on peut donc espérer qu'une fois la production de la V-NAND suffisamment maitrisée (les rendements sont sans doute inférieurs pour l'instant) le gain de densité permettra à Samsung de ramener le prix de ses SSD en dessous de ceux de Crucial... à moins que le Coréen n'en profite plutôt pour augmenter ses marges...