Toshiba et Sandisk commencent à graver la NAND en 15nm
Toshiba et Sandisk ont créé la surprise en annonçant qu'ils avaient commencé à produire de la mémoire Flash NAND en 15nm. Les premières puces à être gravées dans cette finesse seront des MLC de 16 Go, mais il y aura aussi rapidement des TLC qui sortiront.
Pour le moment, les puces les plus finement gravées le sont en 19nm. Il reste maintenant à savoir quelles seront les spécifications de ces mémoires et surtout combien de cycles d'écriture elles supporteront. En effet, lors d'une écriture (en fait au moment de sa préparation à une nouvelle écriture) de mémoire Flash il faut utiliser une forte tension qui rapidement l'endommage. Plus les "parois" de cette cellule sont fines et plus il y a un risque que cette dégradation soit rapide.
Toutefois, les fabricants de Flash se doivent de trouver des solutions pour continuer à assurer la croissance de la capacité de leurs puces. Toshiba et Sandisk ont choisi d'être agressifs sur la finesse de gravure tandis que Samsung a préféré privilégier la superposition de couches de Flash moins dense.