Sony et Micron présentent des puces de 2 Go de ReRAM
La ReRAM est une de ces mémoires dont on espère qu'elle arrivera à terme à s'imposer. De la RAM, elle a (en grande partie) la rapidité. De la Flash, elle a la persistance qui lui permet de maintenir les données sans avoir besoin d'être rafraîchie en permanence ce qui consomme du courant et fait tout perdre s'il est coupé.
Les ingénieurs de Sony et de Micron on annoncé avoir réussi à fabriquer des puces de ReRAM de 16 Gbits, soit 2 Go. Elle est gravée en 27nm et se compose de l'empilement de 8 couches ce qui lui permet une utilisation en parallèle de ces couches et donc de gagner en débits. Les deux sociétés annoncent des débits en lecture de 1 Gbit/s, en écriture de 200 Mbits/s avec une latence respectivement de 2 et 10µs. On est encore loin de ce que permet la RAM DDR3 mais très largement au dessus de ce que permet la mémoire Flash. On risque donc dans un premier temps de trouver ce genre de ReRAM dans des smartphones et tablettes qui n'ont pas les mêmes besoins en bande passante RAM mais qui gagneraient en autonomie avec une mémoire bien plus économe et qui ne serait de plus pas effacée en cas de décharge totale. Il suffirait alors de brancher son appareil pour le retrouver immédiatement à son état antérieur.