Micron et Broadcom optimisent les débits de la DDR3
La bande passante de la mémoire DDR semble le fruit d'une simple équation liant divers facteurs comme la fréquence et la génération de cette mémoire. Il y a toutefois d'autres facteurs que la rédaction de cette brève nous a permis de découvrir comme des paramètres de synchronisation "tFAW" utilisés dans la DDR3. Cette obligation de synchroniser les données provoque une baisse de la bande passante mémoire dès que cette dernière est fortement sollicitée. Micron et Broadcom se sont associés pour réduire autant que possible les pertes liées à ce facteur de synchronisation. Ils ont réussi à réduire cette tFAW de 35 a 30ns pour les pages de 2Ko sur de la DDR3 2133 MHz. Cela paraît négligeable mais il serait alors possible d'augmenter le nombre d'opérations par seconde supportées par cette mémoire de 18%, ce qui est énorme.
Des barrettes utilisant cette nouvelle possibilité sont disponibles en 2 Go et 4 Go pour les domaines les plus pointus où les performances sont capitales. Il est fort probable que dans l'avenir les mémoires grand public bénéficient aussi des avancées développées pour ces usages très particuliers.