[Mise à jour] SSD Samsung 840 EVO, la réponse au M500
Afin de lutter contre le M500 de Crucial, qui se taille un joli succès, surtout en version 960 Go, Samsung a annoncé l'arrivée du 840 EVO. Il s'agit d'une version modifiée du 840 actuel. Disponible en 120 Go, 250 Go, 500 Go, 750 Go et 1 To, il sera capable, dans les modèles de la plus forte capacité, de lire les données à 540 Mo/s et de les écrire à 520 Mo/s avec 98000 IOPS.
Le gain de performances a été rendu possible en améliorant son contrôleur, en augmentant la taille de sa cache et en utilisant l'astuce d'utiliser la mémoire comme de la SLC en n'écrivant qu'un bit par cellule.
Cela signifie donc que les performances annoncées en écriture ne seront pas tenues toute la durée d'écriture du disque si l'on s'amuse à le remplir d'un coup de plus d'un tiers de sa capacité restante. Toutefois, lors des pauses le disque va ensuite réagencer les données afin de remplir chaque cellule de mémoire, toujours de la TLC, de ses 3 bits et ainsi aménager l'espace restant pour de nouvelles écritures accélérées.
On ne connaît pas le prix de ces nouveaux SSD mais ils seront certainement compétitifs justement grâce à l'utilisation de cette mémoire TLC plus dense mais ayant une durée de vie théorique inférieure à la MLC.
[Màj] Hardware.fr nous apporte des informations sur ce système d'accélération en utilisant la TLC comme de la SLC et que la société appelle TurboWrite. Le disque bloque en effet une certaine capacité de mémoire, qui devient une pseudo cache SLC. Elle est de 36 Go sur le disque de 1 To, 27 Go sur le 750 Go, 18 Go sur le 512 Go... Cette capacité est donc perdue pour le disque. En échange on a une cache qui fait un tiers de cette capacité, donc par exemple 12 Go pour le modèle 1 To. Si vous écrivez dans une courte période plus de 12 Go sur le disque vous allez ensuite repasser sur la TLC classique et ainsi perdre toute accélération de débit. C'est important d'en tenir compte si vous voulez utiliser ce disque pour des applications ayant besoin d'une grande bande passante.
Notez aussi que ce système va notablement accélérer l'usure des cellules mémoire. En effet, les données seront d'abord écrites sur la pseudo SLC puis sur la TLC. Ainsi pour écrire un volume 1 de données on aura en fait utilisé 4 cycles cellule mémoire, ce qui est une énorme amplification et fait douter du bien fondé de cette technique, destinée avant tout à gonfler les performances théoriques.