Toshiba montre sa première mémoire Flash gravée en 19nm
Toshiba a montré sa première galette de mémoire Flash gravée en 19nm. Cette mémoire plus fine sera disponible en 2 bits par cellule mais aussi dans des versions à 3 bits par cellule.
Grâce à des optimisations de la gravure et du design des puces, Toshiba annonce que l'endurance de cette mémoire en écriture est identique aux puces gravées en 24nm, ce qui est une excellente nouvelle... à vérifier à l'usage.
La mémoire dotée de 3 bits par cellule sera utilisée essentiellement dans les clés USB et cartes mémoire destinées aux appareils photos, domaines où l'endurance est moins capitale que le tarif de vente. Les autres avec deux bits par cellule se retrouveront dans des appareils électroniques et bien entendu dans des SSD.
Au niveau des puces, Toshiba a également annoncé un nouveau procédé permettant de limiter l'épaisseur des puces produites grâce à des empilements de couches de mémoire. Grâce à une nouvelle technologie de collage et de soudure à froid, les puces fabriquées en 16 couches seront plus fines et moins coûteuses à produire.