Toshiba annonce une percée dans le domaine de la MRAM
Bien que la compétition entre les différents types de mémoire capables de prendre le relais de la SRAM et surtout de la NAND soit loin d'être terminée, la MRAM, mémoire magnétorésistive, a marqué des points ces derniers temps. Elle a commencé à gagner ses galons en étant produite en volumes et en étant même installée dans des SSD à la place de la DRAM.
Toshiba a annoncé avoir réalisé une nouvelle percée dans cette mémoire magnétorésistive, qui utilise le moment de Spin des électrons pour stocker les données. Grâce à une magnétisation perpendiculaire des cellules mémoire et une gravure en 30nm, la société a réussi à fabriquer un prototype de MRAM qui consomme 90% d'énergie en moins que ce qui se faisait auparavant. Or, la consommation de cette mémoire est un de ses principaux points négatifs, surtout par rapport à la SRAM.
Avec ces nouveaux procédés, Toshiba a fait des simulations poussées et il s'avère que sa nouvelle MRAM consomme 2/3 d'énergie en moins que la mémoire cache que l'on trouve dans la plupart des appareils mobiles, avec l'avantage de ne pas s'effacer en cas de coupure de courant.
La MRAM ayant encore de faibles capacités, Toshiba pense avoir trouvé pour elle un débouché idéal dans ces appareils. Il est aussi probable qu'elle finisse par être utilisée comme cache à la place de la mémoire vive dans la plupart des équipements qui en utilisent et dans lesquels une coupure de courant est très problématique, comme les SSD.