Samsung: de la mémoire Flash NAND sous les 20 nm
Samsung a inauguré en grande pompe son usine de fabrication de mémoire située à Xi'an en Chine. Cette usine, qui tournera à pleine capacité d'ici 2014, sera destinée à la fabrication de mémoire Flash de la classe 1x nm, c'est-à-dire gravée sous les 20 nm. Cette mémoire permettra d'augmenter la capacité des appareils électroniques et SSD tout en abaissant progressivement le coût au Gigaoctet. Elle coûtera au total à Samsung 7 milliard de dollars.
Comme d'habitude à chaque annonce d'une mémoire Flash Nand gravée plus finement, on attend de connaître l'endurance de celle-ci. Heureusement, les fabricants de puces ont énormément travaillé là dessus et ils arrivent à stabiliser le nombre maximum d'écriture que ces puces sont capables de supporter avant de tomber en panne. Ces recherches retarderont le moment inéluctable où il faudra remplacer la Flash NAND par autre chose. Les candidats potentiels sont nombreux, mais aucun n'a encore été déclaré comme successeur légitime.