TSMC retarde son passage aux galettes de 450 mm à 2018
Mauvaise nouvelle pour les clients de TSMC. La société a officiellement annoncé qu'elle ne passerait à la gravure sur des galettes de silicium de 450 mm qu'en 2018. Cette transition vers les 450 nm est très attendue. En effet, celles utilisées actuellement ont un diamètre de 300 mm. La transition vers le diamètre supérieur permettra d'augmenter la surface de gravure d'un facteur 2,25 et ainsi d'augmenter proportionnellement la production de puces d'autant.
Mais cette transition est très complexe, étant donné qu'il faut mettre au point des outils capables de réaliser de la lithographie sur une surface plus grande sans distortions.
C'est d'ailleurs cette problématique qui a poussé Intel, Samsung et TSMC à investir dans la société ASLM, qui fait de la R&D là dessus et à terme fabriquera les machines capables de réaliser cette gravure.
TSMC a quand même annoncé être dans les temps pour sa gravure 20 nm, utilisant le procédé FinFET qu'Intel a appelé 3D et qui consiste à produire des transistors en 3 dimensions, ce qui permet, malgré la finesse de gravure toujours plus poussée, de maîtriser les fuites d'énergie et donc de faire baisser la consommation. TSMC travaille aussi sur la gravure FinFET en 16 nm, qui sera encore réalisée avec des ultraviolets extrêmes. Au-delà il faudra passer à autre chose, des faisceaux d'électrons dont les procédés sont en cours d'étude.