Hynix et IBM font front commun sur la PRAM
Hynix, second plus gros fabricant de mémoire au monde, a annoncé avoir contracté une alliance avec IBM dans le but de développer une nouvelle génération de PRAM, de la mémoire à changement de phase.
Pour rappel, il s'agit d'une mémoire non volatile destinée à remplacer à terme la mémoire Flash NAND utilisée dans les appareils mobiles et SSD et qui serait 100 fois plus rapide et 1000 fois plus endurante. De plus, elle nécessite une tension de fonctionnement inférieure à la mémoire Flash, de quoi diminuer largement la consommation des puces lors des phases d'écriture.
D'une manière générale tous les fabricants de mémoire ont dans leurs laboratoires des prototypes de PRAM et tentent de leur faire passer le cap de l'industrialisation, car le premier qui arrivera à trouver un produit de substitution à la mémoire Flash NAND aura entre les mains un énorme potentiel, alors que l'on a de plus en plus de mal à réduire la gravure de cette mémoire Flash sans ruiner son endurance.