Micron revient sur la fiabilité de la mémoire Flash gravée en 20 nm
Jusqu'à maintenant, plus les puces de mémoire Flash NAND voyaient la finesse de leur gravure progresser et moins elles étaient endurantes dans le temps, le nombre maximum de cycles d'écriture que l'on peut leur appliquer baissant comme peau de chagrin.
Micron est revenu sur ce sujet pour sa mémoire gravée en 20 nm et développée en partenariat avec Intel. La société réaffirme qu'elle ne sera pas moins endurante que celle gravée en 25 nm. Cela a été rendu possible grâce à l'apport de la technologie high-k metal gate dans sa fabrication. Cette dernière est déjà utilisée dans la fabrication des processeurs. Elle n'avait pas été portée sur la mémoire Flash à cause de son coût élevé. Pour Micron, ce coût restera acceptable et il va devenir impossible de s'en passer si l'on veut de la Flash toujours plus finement gravée.
C'est une bonne nouvelle pour assurer l'avenir et la croissance des capacités des SSD mais aussi des autres appareils embarquant de la Flash. Il y a seulement à craindre que le coût au Go des puces gravées en 20 nm mette plus de temps à baisser par rapport à la finesse de gravure précédente que lors des précédentes diminutions de la finesse de gravure des puces.