MacBidouille

Au mois de septembre dernier, Intel a présenté en partenariat avec Micron la mémoire cube hybride (Hybrid Memory Cube).

Sous ce nom se cache un nouveau procédé de fabrication de modules de mémoire DRAM. Actuellement, les barrettes de mémoire vive sont composées de plusieurs puces juxtaposées. Dans ce nouveau procédé, les couches de DRAM sont empilées jusqu'à créer un cube. S'il existe déjà des empilements de puces pour en augmenter la capacité, ce système va plus loin, jusqu'à créer une sorte de RAID 0 entre les couches afin de les faire travailler de concert et augmenter de manière très significative les débits, un défi qui devient crucial avec la multiplication des coeurs. L'autre avantage de cette technique est d'obtenir une consommation en nette baisse de ces puces mémoire par rapport à des barrettes classiques.

Pour en revenir au titre, Samsung et Micron ont décidé de créer un consortium ouvert dans lequel seront invités les autres fabricants de mémoire et les équipementiers et dont le but est de créer une interface standard pour installer ces cubes dans les ordinateurs et autres appareils.

Une fois les spécifications figées, les premiers équipements à bénéficicer de ce type de mémoire seront les supercaculateurs qui sont limités par la bande passante RAM. Ils pourront avoir un bol d'air, sachant qu'Intel et Micron ont déjà des prototypes de cette mémoire capables d'afficher des débits de 1 térabit par seconde, soit environ 10 fois la bande passante de la DRAM actuelle.
Il est probable qu'à terme ce genre de mémoire débarque également dans nos ordinateurs, Intel n'hésitant pas à bousculer les habitudes, quitte à faire marche arrière en cas de manque de performances, comme avec la FB-DIMM que l'on trouvait dans les premiers Mac Pro.