Toshiba et Sandisk annoncent de la mémoire MLC gravée en 19 nm
La semaine dernière, Intel et Micron avaient annoncé avoir réussi à produire de la mémoire Flash NAND MLC gravée en 20 nm. Sandisk et Toshiba viennent de surenchérir en proposant de la mémoire similaire gravée en 19 nm. La différence de finesse de gravure n'est pas énorme, mais il va falloir s'y habituer. Dorénavant, chaque nanomètre gagné sera une victoire et on sait que la barrière au delà de laquelle il sera impossible de descendre approche à grand pas.
Pour en revenir à cette mémoire, Sandisk et Toshiba vont rapidement proposer à leurs partenaires de tester des modules de 8 Go et proposeront également au second semestre de cette année des mémoires X3 gravées également à cette finesse. Dans ce cas, chaque cellule contiendra 3 bits au lieu de 2 ce qui en augmente nettement la capacité, mais réduit alors fortement son espérance de vie et ses performances, raisons pour lesquelles on a pas encore eu de SSD dotés de mémoire X3.