SanDisk et Toshiba en route vers la mémoire Flash gravée en 10 nm
Alors que les puces de mémoire Flash gravées en 25 nm commencent à peine à arriver, les fabricants commencent à investir massivement en vue de produire dans un avenir aussi proche que possible des puces gravées autour des 10 nm.
Les investissements s'annoncent comme colossaux car il va non seulement falloir mettre en place les outils pour produire ces puces, mais aussi trouver le moyen de les rendre plus endurantes. En effet, chaque fois que l'on réduit la taille des transistors de mémoire Flash, on rend ces puces moins endurantes. Elles supportent de moins en moins bien les cycles d'écriture, moment auquel il est indispensable de leur appliquer une tension élevée.
Si ce n'était pas un problème avec les clés USB, c'en est devenu un avec les SSD. Il faut donc trouver le moyen de stabiliser ces cellules afin qu'elles puissent supporter des milliers de cycles d'écriture. Ce défi est loin d'être gagné, et certains prédisent déjà que la mémoire NAND Flash arrive à sa limite technologique et qu'il faudra lui trouver une remplaçante à moins d'une percée majeure dans son mode de fabrication.