Une nouvelle mémoire potentiellement révolutionnaire
Actuellement, on peut schématiquement distinguer deux types de mémoires utilisées en informatique. D'un côté on a la DRAM, celle qui est utilisée pour faire office de mémoire vive dans nos ordinateurs. Elle a comme avantage d'être très véloce, mais nécessite d'être rafraîchie en permanence pour ne pas voir ses données s'effacer. A la moindre coupure de courant, tout disparaît.
De l'autre côté, on a les mémoires Flash. Elles sont plus lentes d'environ un facteur 100, surtout en écriture ce qui leur interdit d'être utilisées comme des mémoires vives. En revanche, à l'image de ce que l'on a avec les SSD ou dans un iPhone, une coupure de courant n'a que peu d'incidence sur elles. Les données sont conservées.
Depuis des années, le Graal de la recherche dans le domaine de la mémoire vise à en trouver une qui puisse cumuler les deux avantages. Les candidats n'ont pas manqué mais aucun n'a réussi à passer le cap de l'industrialisation. Des chercheurs de l'université de Caroline du Sud pensent avoir trouvé la mémoire qui selon leurs propos pourrait révolutionner l'industrie électronique.
Elle utilise des transistors à effet de champ capables de garder les informations sans être rafraichis tout en ayant des performances suffisantes, moins de 2 ns pour lire une cellule et dans le meilleur des cas 50 ns pour écrire les données.
L'avenir nous dira si cette mémoire unifiée se retrouvera un jour dans nos supports de stockage et ordinateurs.