MLC 3bits gravée en 20 nm chez Samsung
Samsung annonce avoir démarré la production de mémoire Flash MLC X3 (3 bits par cellule) dans une finesse de 20 nm. C'est une augmentation de densité de 60% par rapport à la précédente génération gravée en 30 nm. La société fait donc un peu mieux qu'Intel et Micron qui en produisent, mais gravée en 25nm.
Il reste peu probable que cette mémoire puisse prendre place dans un SSD, ce type de produit ne supportant que quelques milliers de cycles d'écriture. Elle devrait en revanche trouver sa place dans des clés USB et autres cartes mémoire d'appareil photo pour qui cette endurance sera largement suffisante. Ainsi, les fabricants de ces cartes pourront continuer à faire baisser le rapport prix/capacité.