MacBidouille

EETimes rapporte les propos d'ingénieurs de RIM au sujet de la mémoire Flash embarquée dans leurs appareils. Ils font preuve d'inquiétude sur la capacité qu'ils auront à l'avenir d'augmenter toujours plus la quantité de cette mémoire Flash NAND embarquée.
Sachant qu'ils ne peuvent libérer plus de place pour les puces de mémoire, ils doivent (comme d'autres dont Apple) utiliser des puces dont la densité est toujours supérieure grâce à une gravure de plus en plus fine de leurs pistes. Mais il y a un revers dont nous vous avions déjà parlé. Si les puces gravées en 50 nm avaient une espérance de vie de 50 000 cycles d'écriture, elle a baissé de manière conséquente avec les 34 nm pour ne plus être que de 10 000, et l'on parle de 3000 cycles pour celles gravées autour des 20 nm. Les choses sont encore pire dans le cas de la mémoire X3. Elle ne dépasserait pas les 1000 cycles, raison pour laquelle elle n'est encore annoncée que pour les clés USB où cette durée de vie est acceptable.
Sachant qu'il n'y a pas de technologie pour succéder rapidement à la NAND, il semble que l'on soit dans une impasse où les capacités risquent de stagner.

Le salut pourrait arriver grâce à de nouvelles mais plus coûteuses techniques de fabrication comme celle annoncée par Intel qui va fabriquer de la Flash en 34 nm pour les domaines professionnels et dont la durée de vie est de 50 000 cycles. Il faudra aussi surveiller ce que donnera la technologie d'Anobit censée également multiplier par 5 la durée de vie de toutes les Flash, visiblement en optimisant la tension nécessaire pour l'écriture des puces. 

Si aucune solution viable n'est trouvée rapidement, il faudra perdre l'habitude de voir des générations de baladeurs toujours dotés de plus de mémoire. Remarquez, Apple a déjà décidé de faire une pause dans la guerre à la capacité que ce soit sur les iPods ou les iPhones.