Samsung produit en masse de la mémoire Flash MLC gravée en 20nm
Samsung a annoncé avoir démarré la production de masse des premières puces de mémoire Flash MLC gravées en 20nm.
Ce nouveau processus de gravure semble très abouti. Il permet non seulement de produire des puces de 4 Go deux fois plus petites, mais aussi plus rapides de 30% que celles gravées en 30nm. Elle seront capables de lire les données à 20 Mo/s et de les écrire à 10 Mo/s de qui fabriquer des cartes mémoire de classe 10 qui auront des capacités comprises entre 4 et 64 Go.
Hélas, ces débits sont encore faibles pour que ces puces puissent équiper des SSD haut de gamme. Même sur des contrôleurs utilisant 8 canaux, on plafonnerait dans le meilleur des cas à 160 Mo/s en lecture et 80 Mo/s en écriture. En revanche, pour des SSD bons marché, ces performances devraient suffire.