Samsung annonce des puces de PRAM de 64 Mo
Samsung a annoncé avoir mis en production des puces de mémoire PRAM de 512 Mbits (64 Mo). Ces puces seront gravées en 65nm et le fondeur promet de bientôt graver sa PRAM plus finement afin qu'elle devienne compétitive face à la mémoire FLASH NAND.
La PRAM est une mémoire à changement de phase non volatile (on peut couper le courant sans effacer les données) qui est bien plus rapide que la FLASH actuelle. Elle permettrait de produire des supports de stockage aux performances encore inédites. A termes, certains prévoient qu'elle puisse remplacer la DRAM actuellement utilisée comme mémoire vive dans nos ordinateurs. N'ayant pas besoin d'être alimentée en permanence, la PRAM consommerait et chaufferait bien moins.
On reste cependant loin de ces objectifs et il faudra encore du temps pour que cette mémoire coincée entre la flash et la DRAM ne trouve des débouchés. Il est possible qu'elle démarre sa carrière comme mémoire flash sur des cartes de type RAID. Ceci permettrait de ne plus avoir à leur installer de pile pour sauvegarder le contenu de la cache en cas de coupure de courant.