Samsung lancera sa production de PRAM 65nm en 2009
Samsung a annoncé que la production de puces de 512 Mo de PRAM (mémoire à changement de phase) gravées en 65 nm démarrera dans la première moitié de 2009.
Cette mémoire a pour vocation de remplacer la Flash NAND dans l'avenir. Contrairement à la mémoire classique, les 0 et les 1 sont matérialisés par un changement de phase du matériau qui peut avoir deux états, cristallin ou amorphe. Son avantage est de pouvoir passer de l'un à l'autre très rapidement et sans avoir besoin de remettre auparavant la cellule à 1 avant d'y réécrire, ce qui permet un gain de performances très important lors de l'écriture des données. Elle a comme autre avantage d'avoir une durée de vie 10 fois plus importante que les autres puces mémoire.
Reste qu'elle continue à pêcher par son manque de densité alors que l'on sait fabriquer des puces de mémoire MLC contenant 30 fois plus de données.