De la mémoire flash qui dure un siècle
L'une des inquiétudes au sujet de la mémoire flash est liée au nombre de cycles limités d'écriture qu'elle est capable de supporter.
Des chercheurs japonais affirment avoir trouvé une parade et annoncent une mémoire NAND ferroélectrique capable de supporter 100 millions de cycles d'écriture, contre 10 000 pour de la mémoire NAND MLC. De plus il sera possible de graver cette mémoire à 10 nm, alors qu'il sera techniquement impossible de graver de la NAND actuelle en dessus de 20 nm.
La durabilité de cette mémoire est liée à la tension qu'il est nécessaire d'appliquer pour écrire. Elle n'est que de 6V contre 20 pour les autres mémoires. Accessoirement, elle consommera bien entendu moins d'énergie.
Il ne reste comme toujours plus qu'à savoir si cette mémoire pourra sortir des laboratoires et passer au stade industriel.