Samsung va produire de la flash gravée à 30 nm
La morosité du marché de la mémoire flash a une conséquence intéressante, elle accélère la recherche et le développement des grands fabricants qui pourront ainsi proposer des produits différents et plus coûteux.
Samsung, a ainsi annoncé avoir fabriqué la première puce de mémoire flash gravée en 30 nm. En empilant plusieurs couches de flash, on obtiendra des puces d'une capacité de 8 Go et d'une taille très réduite.
La société imagine déjà un futur proche où elle proposera des cartes mémoire contenant 16 de ces puces pour une capacité de 128 Go.
Au delà, cette finesse de gravure devrait permettre de faire exploser les capacités des disques SSD. Ensuite, ce ne sera plus qu'une question de positionnement tarifaire et de performances. Mais si on peut créer une carte mémoire, même de la taille d'une Compact Flash, on est pas loin de pouvoir fabriquer des disques SSD 2,5" dépassant le To, ce qui n'arrivera pas avant un bon moment avec les disques durs classiques.
Samsung espère démarrer la production en masse de ces puces courant 2009.