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MacBidouille

Peut-être un moyen de retarder la fin programmée des processeurs à base de silicium

Comme vous le savez, les années des processeurs à base de silicium, tels qu'on les connaît, sont maintenant comptées. Les lois de la physique étant intangibles, il ne sera plus possible à un moment de graver plus finement sans se heurter à des lois quantiques.
Les fabricants de puces arrivent toutefois à reculer toujours plus ces limites. Actuellement, ils le font grâce à la technologie FinFET, qui permet en augmentant la hauteur des transistors de leur conserver une isolation suffisante pour éviter les courants de fuite malgré la diminution de leur épaisseur.
Des chercheurs de l'Université de Stanford ont annoncé avoir fait une découverte qui pourrait encore permettre aux fabricants de puces de retarder l'inéluctable.

Ils ont identifié deux semi-conducteurs, le diselénide au hafnium et le disélénure de zirconium qui permettent à eux deux de créer des transistors de seulement trois atomes d'épaisseur. Malgré cette épaisseur record, ils assurent une isolation suffisante pour éviter les fuites d'électrons. Ils permettraient de créer des transistors 10 fois plus petits que ce que permettra la gravure en 5nm qui est déjà en tests préliminaires chez quelques fondeurs de puces.

Si l'équipe est confiante dans sa découverte, elle n'a pas encore réglé tous les problèmes, à commencer par le renforcement du lien qui unira ces nouveaux matériaux avec le substrat qui restera en silicium.

Souhaitons pour eux et pour l'industrie des processeurs que cela soit rapide car les chercheurs et ingénieurs spécialisés dans ce domaine commencent à ne plus savoir quoi faire pour reculer la barrière qui obscurcit leur horizon tandis que les solutions alternatives aux procédés actuels de production de processeurs ne sont encore que des pistes très très éloignées d'une production de masse.

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