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MacBidouille

Toshiba annonce de la mémoire QLC très endurante

Le passage de la mémoire Flash SLC à la MLC a été accompagné d'une baisse significative du cycle de vie des cellules de stockage mémoire. Lorsque l'on a commencé à stocker 3 bits par cellule, la TLC, on a encore réduit cette endurance qui est maintenant en théorie inférieure à 1500 cycles d'écriture.
On craignait le pire avec l'arrivée de la QLC, une mémoire capable de gérer quatre bits par cellule. On craignait qu'elle ne descende à 150 cycles d'écriture pour chaque cellule.

Toshiba vient d'annoncer sa mémoire QLC et prédit que ses cellules supporteront 1000 cycles d'écriture, ce qui n'est pas très éloigné de la TLC.

C'est plutôt une bonne nouvelle puisque cela va permettre encore un bond dans les capacités et une nouvelle baisse de prix au Go.

Pour le reste, il faudra du temps pour éprouver ces futurs SSD dans le temps. Toutefois, l'augmentation très significative des capacités fait qu'au total le nombre de cycles supportés par un disque n'évolue que peu, et parfois à la hausse. Pour le grand public cela ne posera donc pas de problème. Pour les milieux professionnels c'est une autre histoire, mais les fabricants trouveront bien un moyen de gérer aussi ce marché.

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