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MacBidouille

Des chercheurs arrivent à produire un transistor en 1nm

Des chercheurs de l'université de Berkeley ont réussi à réaliser une chose que l'on pensait impossible, produire un transistor dont l'épaisseur de la porte ne fait que 1nm de large.

Pour cela ils ont fait appel à du graphène sous forme de nanotube de carbone mais aussi du disulfure de molybdène, sans lequel le fonctionnement de ce transistor aurait été impossible.

En effet, dans ce matériau les électrons sont plus freinés que dans le silicium, ce qui permet d'en contrôler plus facilement l'écoulement et d'éviter un phénomène quantique appelée effet tunnel, qui rend les transistors perméables et incapables d'arrêter les flux d'électrons. Dans ce dernier cas, il n'y a plus de porte et plus d'électronique.

On tient là une piste fort intéressante pour prolonger la capacité des fondeurs à réduire encore la taille des pistes de nos processeurs mais il faudra encore arriver à passer à l'échelle industrielle, ce qui sera fort complexe puisque pour le moment on ne peut produire de tels transistors avec les techniques habituelles de lithographie, qui sont inadaptées pour de telles finesses.

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