Intel et micron annoncent une mémoire révolutionnaire
Voilà des années que l'on chercher le chainon manquant entre la DRAM, très rapide mais volatile si l'on coupe le courant, et la Flash, persistante mais lente.
Intel et Micron ont dévoilé la 3D Xpoint, une mémoire persistante 1000 fois plus rapide que la Flash.
Pour arriver à un tel résultat les deux sociétés ont fait table rase du passé. Fini les cellules qui stockent un ou plusieurs électrons. Le stockage est assuré par des changements de propriété du matériau, réversibles bien entendu.
L'accès aux données est aussi radicalement différent et il serait possible, très simplement de pouvoir accéder à n'importe quel motif de données de manière presque instantanée.
Au niveau de la densité on est à 10 fois celle de la DRAM et il est possible d'empiler facilement les modules fabriqués.
Les deux société promettent dans l'avenir des SSD pratiquement aussi rapides que de la DRAM, de quoi faire sauter une fois pour toute le goulet d'étranglement des systèmes de stockage.
Etant donné que cette annonce est faite par deux sociétés commerciales et pas par des laboratoires ou chercheurs, on peut considérer que le système sortira réellement dans un avenir pas trop lointain et va révolutionner le stockage bien plus que les SSD ne l'ont déjà fait.